前言
这个教程，是基于宪武大神的口述，加上博主的亲身实践并精心整理而成的，且发布已经得到宪武大神的授权，任何其他形式的转载请注明出处！！！教程并不一定适用于所有情况，只是给各位提供一个比较基础的思路。如果中间有任何问题，欢迎反馈给我，好让我及时更新教程。
我为什么要修改
修改这个的意义，实际就是热补丁的意义。尽管我已经在我的另一篇教程里面说过了热补丁的好处，我还是乐意在这里再复述一遍。
热补丁的编辑更加高效。使用热补丁，你不需要去修改其他的无关代码，也不需要你去联合反编译DSDT然后除错，更是大大节省了你的工程量。
热补丁更加安全。如果热补丁导致你的启动出现问题，你只需要还原对应的热补丁修改（删除热补丁）即可，既快捷又方便，并且也无需备份什么。而如果是DSDT，在改动前你必须备份原有DSDT，而且出了问题时排除代码是个很让人头疼的问题。
热补丁管理方便。每个功能可以写一个热补丁，无论是配置文件里还是SSDT，都方便管理与添加；并且由于热补丁的动态注入特性，在部分情况下可以实现直接修改DSDT报错而不能完成的修改。
热补丁与平台无关。由于这一点，有些修改的热补丁可以跨平台使用，大大提高了黑果的移植度以及修改工程量。尤其是，当你发现某些机型的DSDT不能通用但是却具有高度相似的修改时，热补丁的优势将尤其明显(比如潮7000 13寸与14寸，以及潮5000关于触摸板的部分)
基于上述这几点，我们也显然可以看到了电池热补丁的优势：跨平台、易修改、易参考、高度可移植。
阅读预备
正如我一直跟黑果进阶的同学反复强调的那样，热补丁是DSDT的延伸，因此，基于这一点，以下情况，我不推荐您阅读此教程：
- 没有良好的DSDT基础
- 电池尚未用DSDT补丁修改好
在阅读本教程之前，建议先去阅读下这篇帖子：修改dsdt实现电量显示方法（整理修改已有帖子)，了解下基础的字节以及补丁工作原理，然后再来阅读下本教程。
原理
电池热补丁的原理，本质就是热补丁的原理以及电池的字节拆分原理，在此我不再赘述，有兴趣的请自己去百度相关教程。不过涉及到一些这二者协调部分的原理，在这里我有必要解释一下：
我们知道，在DSDT的电池补丁里，电池的各种变量，存在一个变量的字节位占用问题，如果将变量字节位搞错，将会导致打补丁后的DSDT无法正常显示电池信息。而热补丁本质就是DSDT的延伸，因此，我们在热补丁中动态修补电池字节数据的时候，也必须保留对原有字节位的占用，而不能随意错位。电池的数据一般存储在一个大的OperationRegion块中。懂热补丁的都知道，显然OperationRegion方法是不允许直接注入的。因此，我们通常想到的就是直接将电池设备改名，重新注入数据。这种方法经过本人测试，存在很大问题，其中之一就是数据无法正确注入修改后的电池数据（OperationRegion）到DSDT中，会报错。另外这样书写的热补丁代码量太大，需要处理的引用与方法交叉十分多。
所幸宪武大神给出了一个折中的方法：新建一个OperationRegion块，在这个新块里动态注入所有的拆分字节数据；同时，对原有的未拆分字节保留空位，从而在保证位移量正确的情况下正确注入并引用新的数据。如此，电池就可以以热补丁的形式注入字节数据并被修改为正确信息。
当然，这种方法也有其弊端在里面：由于二次调用数据，这样的热补丁执行效率会有点低，但是对于现在的机子而言，这个效率的影响微乎其微。
基于这样的一个思路，我们接下来就可以开始制作电池的热补丁。
开始制作
分析补丁
在开始制作之前，我们首先就需要对我们的电池DSDT补丁进行分析，来确定哪些数据是我们接下来需要使用到的。比如以潮7000 13寸的电池热补丁来说，是这样的：
1 | 1. |
看起来这个补丁代码确实很复杂，但是仔细分析下，我们修改这个热补丁，无非需要以下这些数据：
- 电池的设备位置
- 额外添加的方法
- 拆分的字节数据
- 引用修改字节的方法(Method)
通过对于IOReg等的分析，我们得知电池设备为H_EC.BAT0；而对此字节补丁进行分析，我们发现，它实际上修改了这些字节数据：
1 | BML0 → B1B2 (ML00, ML01) |
这些字节数据全部位于H_EC下的ECF2这个OperationRegion中。随后，对这些拆分的字节添加的语句进行分析，我们也找到了我们需要添加的额外方法：RECB、RE1B、B1B2、B1B4
接下来 ，我们前去阅读潮7000 13修改好电池后的DSDT（样本点击这里下载），通过反复查找对比我们前面找到的额外方法，我们可以发现，这些方法在以下这些DSDT方法中出现（也即引用修改字节的方法）：
1 | _SB.PCI0.LPCB.H_EC.VPC0下： |
由此，我们确定了我们需要修改的所有地方，接下来我们就需要把这些修改注入到我们的热补丁中。
数据插入
接下来，我们就需要进行插入操作了。打开Maciasl软件(相关下载可在我博客的资源页面获取)，新建一个文件，插入以下这段代码，使其声明为一个热补丁文件；然后保存为DSL文本文件(文件名随意起，只要保证以”SSDT-“开头就好了)：
1 | DefinitionBlock ("", "SSDT", 2, "hack", "xxxx", 0x00000000) |
这里的XXXX为你前面找到的电池设备名称，比如我的是BAT0，那这里就写为BAT0。
然后，复制DSDT中的电池字节OperationRegion到这个热补丁中，就像这样：
然后，我们将额外添加的方法与**引用修改字节的方法(Method)**同时插入到这个DSDT里面：
注意：在插入的时候，在同一个设备下面的方法一定要放到一块！比如_BIF与_BST同为BAT0设备下面的方法，在插入时就要放到一块。这样做的目的，是为了后面修改时方便修改，减少代码的书写以及使代码层次分明。
添加位置代码
到这里，我们并未完全完成代码的插入。我们需要BIOS知道我们插入的这些方法都是动态注入修补到哪些位置的方法，这需要我们添加位置代码。
比如，比如_BIF与_BST同为BAT0设备下面的方法，而BAT0位于_SB.PCI0.LPCB.H_EC
。因此，我们需要在 Method (_BIF, 0, NotSerialized)前插入Scope位置代码，在_BST方法结束位置插入结束代码”}”。它看起来的效果应该像这样：
1 | Scope (_SB.PCI0.LPCB.H_EC.BAT0) |
同样地，对于ECF2这个OperationRegion，它的位置在_SB.PCI0.LPCB.H_EC，因此，应该像这样在ECF2下插入位置代码：
1 | Scope (_SB.PCI0.LPCB.H_EC) |
而对于RECB、RE1B、B1B2、B1B4这三个方法，由于其本身就在根设备下，因此不需要再额外添加位置代码，保留原有层级结构即可。
对所有我们刚才插入进来的代码进行位置代码插入，最终修改后，我们可以在左侧的窗格看到类似的层级结构：
在图里我们看到，所有方法，除了OperationRegion外，在层层展开下均能看见，并且位置正确，层级结构不错位；同时进行一下编译，也看不到任何与”}”有关的错误：
添加外部引用
如果以上步骤皆操作正确，那么接下来你所看到的错误，将全部与添加外部引用有关，就像上图你看到的那样。这一部分的步骤主要就是添加外部引用。
首先注意下，我们的位置代码那里，有三个设备被引用，分别是_SB.PCI0.LPCB.H_EC、_SB.PCI0.LPCB.H_EC.BAT0和_SB.PCI0.LPCB.H_EC.VPC0。由于它们以Scope形式引用，必须要有设备声明，因此，我们需要添加这三个设备的外部引用到第2行下面，就像这样：
1 | DefinitionBlock ("", "SSDT", 2, "hack", "BAT0", 0x00000000) |
其中DeviceObj表示这是一个ACPI设备。
编辑好后，我们再次编译，可以看到相关的报错全都消失了：
接下来，我们根据报错，继续在DSDT里搜索其他的报错代码，并添加相关引用。
比如对于BASC，我们在DSDT搜索：
可以看到，这是BAT0下的一个Name变量，对应IntObj，添加外部引用如下：
1 | DefinitionBlock ("", "SSDT", 2, "hack", "BAT0", 0x00000000) |
再次编译一下，会发现所有与BASC相关的报错全部消失：
又比如，_SB.PCI0.LPCB.H_EC下的ECMT是Mutex变量，则对应MutexObj，添加：
1 | External (_SB_.PCI0.LPCB.H_EC.ECMT, MutexObj) |
B1ST则是：
1 | External (_SB_.PCI0.LPCB.H_EC.B1ST, FieldUnitObj) |
MAMW则是：
1 | External (_SB_.PCI0.LPCB.H_EC.MAMW, MethodObj) |
……
通过这一系列外部引用添加，当你最后编译发现不再报错时，外部引用的添加就算结束。
重命名/清空字节
在上面的步骤完成之后，我们实际已经得到了一个基本成型的热补丁，但是这个热补丁到这还尚未修改完成，我们仍然需要两步来完成这个热补丁的修改。
首先，我们要把ECF2这个字节存放区域更名为一个与原来不一样的名字，比如ECFX。利用查找替换功能，我们可以很轻松完成这个步骤。
接下来，我们需要把所有不拆分的字节数据段名字去掉，只保留空位。以我的为例，它就像这样：
1 | Scope (_SB.PCI0.LPCB.H_EC) |
这里面的修改有几个要点：
- 只清空不拆分的字节
对于未拆分的字节数据，就需要清空变量名，后面的数据保持不动。
比如：
1 | ACST, 1, |
这一行，清空变量名，就是：
1 | , 1, |
而那些拆分的字节数据，则不要去动，跳过去。
- 删除无拆分的offset块
如果两个offset块之间，没有任何拆分的字节数据，则这个块可以删除。比如对于我的而言：
1 | ... |
从Offset (0xC6),到Offset (0xF1)中间，再也没有任何拆分的字节数据，因此，我们可以抛弃这块的变量，只保留Offset (0xC6)，修改为：
1 | ... |
这一块修改完成后，进行编译。如无报错，则将文件保存编译为aml文件。至此，我们的电池热补丁制作完成。
添加改名补丁
接下来的过程，就与其他热补丁的改名过程无异了，我们需要生成并在Clover配置文件中添加引用修改字节的方法(需要注入Tgtbridge)。关于如何生成并添加这一补丁，我在我的触摸板教程第二版中有详细描述，不明白的可以点击这里查看参考。对于潮7000 13寸来说，需要添加的是这些改名补丁：
1 | Name: change MHIF to XHIF in VPC0 |
接下来，保存修改后的配置文件，将新配置文件与热补丁放入对应位置，删除DSDT，重启测试。如果修改没有问题，那么电池应该会如在DSDT下一般正常工作了。祝你好运！
本教程所涉及的配置文件、热补丁与电池DSDT打包可以点击这里下载。
